Fa'aaliga o Tekonolosi Fa'a'olo 2025 Iapani
Tekonolosi olo Iapani 2025
Henan Boreas New Material Co., Ltd.
O leTekonolosi olo Iapani (GTJ) 2025, taofia maiMati 5–7, 2025, i leNofoaga o Fonotaga Faavaomalo a Makuhari Messei le Itumalo o Chiba, na faʻamausaliina ai lona igoa taʻuleleia o se faʻaaliga sili ona lauiloa i Asia mo tekinolosi olo ma faʻapalapala faʻaonaponei. Na taulaʻi atu i masini faʻapitoa maualuga, otometi, ma faʻafouga faʻaonaponei, na tosina mai ai le silia ma le 500,000 tagata i le faʻaaliga.300 tagata fa'aaligama15,000 tagata asiasi fa'apolofesamai le semiconductor, ta'avale, ma alamanuia o meafaitino fa'aonaponei
O le fa'amoemoe na fa'amamafaina ai ni alualu i luma taua iSiC (silicon carbide)maGaN (gallium nitride)fa'agasologa o le wafer, e ogatasi ma le ta'ita'iga a Iapani i le gaosiga o semiconductor. O vaega autu o oloa e aofia ai masini olo, mea fa'apala, meafaigaluega taimane, vai fa'apala, ma faiga fuaina sa'o, fa'atasi ai ma se fa'amamafa malosi i fofo mo fa'aumaga sili ona lamolemole ma le lelei o le fa'agasologa.
Auai o Boreas: Potu G108
O Boreas, o se tagata e fa'ato'aga i le lalolagi atoa i fofo fa'apitoa mo mea fa'amama, na fa'aalia ana oloa taua—pauta laiti taimanemapaluga taimane maualuga le faatinoga—iPotu G108O nei fofo ua mamanuina e faʻafetaui ai manaʻoga faigata o le faʻagasologa o le SiC ma le GaN substrate, e ofoina atu ai le saʻo ma le tutusa e le mafaatusalia mo faʻaoga taua i le eletise eletise ma le optoelectron.
Oloa Taua ma le Aafiaga i le Maketi
- Pa'u Ma'ai Taimane:
O pauta laiti taimane tutusa lelei a Boreas ua fa'apitoa moCMP (fa'atulagaina fa'amekanika vaila'au)maoloina sa'o atoatoao SiC wafers. O lo latou tufatufaina atu o vaega laiti e faʻamautinoa ai le laʻititi o faʻaletonu i luga ma le maualuga o fua faatatau o le seleselega, o se tulaga taua tele mo kamupani gaosi oloa o loʻo faʻatatau i le isi tupulaga o taʻavale eletise (EV) ma maketi semiconductor 5G.- Palu Fa'apitoa o Taimane:
O vai fa'alelei i le siosiomaga ma le maualuga o le suau'u a le kamupani ua fa'aalia ai ni fa'aleleiga taua i le fa'asalalauina o le vevela ma le umi o le fa'aaogaina o meafaigaluega i le taimi o faiga fa'apala GaN. O lenei mea fou e ogatasi ma aga masani a le alamanuia agai i laina gaosiga gafataulimaina ma maualuga le gaosiga.Va'ai i Luma
O le manuia o Boreas i le GTJ 2025 ua fa'amamafaina ai lana tautinoga i le fa'aleleia atili o tekinolosi gaosiga o semiconductor. A'o suia le alamanuia agai atu i le fa'aaogaina lautele o le SiC ma le GaN, ua fuafua le kamupani e fa'alautele ana tupe teufaafaigaluega i le R&D ma galulue fa'atasi ma ta'ita'i fa'avaomalo e fa'aleleia atili fofo o le oloina o le isi augatupulaga.Auai i le Fouvalega o le Sa'o
Mo nisi fa'amatalaga auiliili e uiga i pauta laiti taimane ma pauta fa'amama taimane a Boreas, fa'afeso'ota'i la matou 'au e su'esu'e pe fa'apefea ona fa'aleleia atili e a matou mea fou au faiga gaosiga.
- Palu Fa'apitoa o Taimane:
Upu autu: Tekonolosi olo Iapani 2025, Boreas, pauta laiti taimane, slurry taimane, fa'apala'au wafer SiC, oloina o le substrate GaN, CMP, gaosiga o semiconductor, GTJ 2025