2025-nji ýylda Ýaponiýada üwemek tehnologiýasynyň sergisi
Ýaponiýanyň üwemek tehnologiýasy 2025
Henan Boreas New Material Co., Ltd.
TheÝaponiýanyň üwemek tehnologiýasy (GTJ) 2025, -dan saklanýar2025-nji ýylyň 5–7-nji marty, -daMakuhari Messe Halkara Konwensiýa KompleksiÇiba prefekturasynda Aziýanyň öňdebaryjy üwemek we jylalamak tehnologiýalary boýunça esasy çäresi hökmünde abraýyny berkitdi. Ýokary takyklykly işleme, awtomatlaşdyrma we iň täze innowasiýalara gönükdirilen sergi köp adamyň ünsüni özüne çekdi300 sergä gatnaşyjywe15,000 professional myhmanýarymgeçirijiler, awtoulag we ösen materiallar senagatlaryndan
Bu çärede möhüm öňegidişlikler görkezildiSiC (kremniý karbidi)weGaN (galliý nitridi)Ýaponiýanyň ýarymgeçirijiler önümçiliginde öňdebaryjylygyna laýyk gelýän wafli gaýtadan işlemek. Esasy önüm kategoriýalaryna üwrüm maşynlary, abraziwler, almaz gurallary, jylawlama suwuklyklary we takyk ölçeg ulgamlary girýärdi, şeýle hem örän tekiz ýüzleý işleri we prosesiň netijeliligi üçin çözgütlere uly üns berilýär.
Boreasyň gatnaşmagy: G108 stend
Öňdebaryjy abraziw çözgütlerde global innowator bolan “Boreas” öz esasy önümlerini görkezdi—almaz mikroporoşoklaryweýokary öndürijilikli almaz şlamlary—daG108 kabinasyBu çözgütler SiC we GaN substratlaryny gaýtadan işlemegiň berk talaplaryny kanagatlandyrmak üçin işlenip düzüldi, elektrik elektronikasynda we optoelektronda möhüm ulanylyşlar üçin deňsiz-taýsyz takyklygy we yzygiderliligi hödürleýär.
Önümiň esasy aýratynlyklary we bazara täsiri
- Almaz mikroporoşoklary:
Boreas-yň ultra-birmeňzeş almaz mikroporoşoklary şuňa laýyk gelýärCMP (himiki mehaniki tekizleşdirme)weultra takyk üwemekSiC waferleriniň. Olaryň submikron bölejikleriniň paýlanyşy minimal ýüz kemçiliklerini we ýokary hasyl beriş tizligini üpjün edýär, bu bolsa täze nesil elektrik ulaglary (EV) we 5G ýarymgeçirijiler bazarlaryny maksat edinýän önüm öndürijiler üçin möhüm artykmaçlykdyr.- Ýöriteleşdirilen almaz şlamlary:
Kompaniýanyň ekologiýa taýdan arassa, ýokary ýaglaýjy suwuklyklary GaN jylaňlama proseslerinde ýylylyk ýaýradylmagynda we gurallaryň uzak ömürliliginde ep-esli ösüşleri görkezdi. Bu innowasiýa durnukly, ýokary öndürijilikli önümçilik liniýalaryna gönükdirilen senagat meýillerine laýyk gelýär.Öňe seredip
“Boreas” kompaniýasynyň GTJ 2025-däki üstünligi onuň ýarymgeçiriji önümçilik tehnologiýalaryny ösdürmäge ygrarlydygyny görkezýär. Senagat SiC we GaN-i has giň ýaýratmaga tarap üýtgeýän mahaly, kompaniýa ylmy-barlag we işläp taýýarlama maýa goýumlaryny giňeltmegi we täze nesil üwemek çözgütlerini kämilleşdirmek üçin dünýä liderleri bilen hyzmatdaşlyk etmegi meýilleşdirýär.Takyklyk rewolýusiýasyna goşulyň
“Boreas” kompaniýasynyň almaz mikroporoşoklary we almaz şlamlary barada has giňişleýin maglumat almak üçin, biziň innowasiýalarymyzyň önümçilik prosesleriňizi nähili ýokarlandyryp biljekdigini öwrenmek maksady bilen toparymyz bilen habarlaşyň.
- Ýöriteleşdirilen almaz şlamlary:
Açarsözler: Ýaponiýada üwemek tehnologiýasy 2025, Boreas, almaz mikroporoşogy, almaz şlamy, SiC wafer jylaňlamasy, GaN substrat üwemek, CMP, ýarymgeçiriji önümçiligi, GTJ 2025